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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.2
- 수록면
- 148 - 148 (1page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
2021
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본 논문은 Ⅲ족 조성을 변화시켜 형성한 In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN 나노와이어를 광전기화학적 물분해의 광양극으로 응용한 결과를 논의한다. In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN 나노와이어는 분자선 증착기를 이용하여 Si(111)기판 위에, In 조성을 5~40%로 변화시켜 성장하였다. 광전기화삭적 물분해의 특성평가는 -1 V의 전압과 100mW/cm<sup>2</sup>의 광세기에서 진행하였으며, In<sub>0.2</sub>Ga<s ... 전체 초록 보기
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