Sequential conversion from line defects to atomic clusters in monolayer WS2

류경희; Chan Ren-Jie

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자료유형: 학술저널

저자정보: 류경희 (경상대학교) Chan Ren-Jie (University of Oxford)

저널정보: 한국현미경학회 한국현미경학회지 한국현미경학회지 제50권 제4호

발행연도: 2020.1

수록면: 1 - 6 (6page)

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Transition metal dichalcogenides (TMD), which is composed of a transition metal atom and chalcogen ion atoms, usually form vacancies based on the knock-on threshold of each atom. In particular, when electron beam is irradiated on a monolayer TMD such as MoS2 and WS2, S vacancies are formed preferentially, and they are aligned linearly to constitute line defects. And then, a hole is formed at the point where the successively formed line defects collide, and metal clusters are also formed at the edge of the hole. This study reports a process in which the line defects formed in a monolayer WS2 sheet expends into holes. Here, the process in which the W cluster, which always occurs at the edge of the formed hole, goes through a uniform intermediate phase is explained based on the line defects and the formation behavior of the hole. Further investigation confirms the atomic structure of the intermediate phase using annular dark field scanning transition electron microscopy (ADF-STEM) and image simulation.

#Cluster Line defect Hole ADF-STEM WS2

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N. Alem / 2009 / Atomically thin hexagonal boron nitride probed by ultrahigh-resolution transmission electron microscopy / Phys. Rev. B 80:155425

N. Alem / 2011 / Vacancy growth and migration dynamics in atomically thin hexagonal boron nitride under electron beam irradiation / Phys. Status Solidi(RRL) 5:295~297

A. Azizi / 2014 / Dislocation motion and grain boundary migration in two-dimensional tungsten disulphide / Nat. Commun 5:4867

S. Barja / 2016 / Charge density wave order in 1D mirror twin boundaries of single layer MoSe2 / Nat. Phys 12:751~756

M. Bieri / 2009 / Porous graphenes : Twodimensional polymer synthesis with atomic precision / Chem. Commun 45:6919~6921

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류경희

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주요연구분야 자연과학 > 생물학

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Chan Ren-Jie

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