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저자정보
권지훈 (삼성전자공과대학교) 박진영 (삼성전자) 동승훈 (삼성전자공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2021.11
수록면
104 - 107 (4page)

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Ultrapure water used in semiconductor gymnastics processes is produced through four major processes: pretreatment process, pure water process, ultrapure water process, and posttreatment process. Among them, the vacuum degassing device in the pure water treatment process removes dissolved oxygen present in ultrapure water by forming a vacuum inside the tower. However, due to unstable vacuum formation inside the tower, dissolved oxygen cannot be properly removed. If dissolved oxygen is not removed, Wafer Defect is generated, such as forming an oxide film on the Wafer surface and reproducing microorganisms in the pipe. Therefore, dissolved oxygen dissolved in ultrapure water should be managed within the scope of management. The sealing water used in the vacuum pump that forms a vacuum inside the vacuum degassing device determines the efficiency of the vacuum pump. If the temperature of the sealing water increases, the vacuum pump is not properly sealed, and thus the degree of vacuum inside the vacuum degassing device increases, and dissolved oxygen also increases. This paper checked areas that fundamentally cause a degree of vacuum to rise inside the vacuum deaerator and applied them to a semiconductor manufacturing site with the optimal improvement method so that dissolved oxygen could be managed within the management scope.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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