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고민수 (삼성전자공과대학교) 김철규 (삼성전자공과대학교) 박현주 (삼성전자공과대학교) 공준진 (삼성전자공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2021.11
수록면
108 - 111 (4page)

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In DRAM (Dynamic Random Access Memory) devices, Gate Transistor Leakage by Defect, which exists within the insulation membrane, is a significant factor in quality degradation. With the introduction of a deuterium (²H or D) process to streamline the hydrogen passing process, the need for in-fab deuterium measurement emerged. Fourier Transform Infra-Red instruments can measure hydrogen/deuterium in the HDP membrane because they can measure chemical bonding in membranes. During the silicon dioxide membrane deposition, the deuterium flow volume and the deposition temperature were altered and measured hydrogen and deuterium by FTIR. When deuterium flow was raised, concentration of hydrogen or deuterium in SiO₂ also increased. However, as the deposition temperature increased, it was confirmed that the amount of deuterium in SiO₂ decreased, but the amount of hydrogen did not change, because it is difficult to distinguish hydrogen feature in the spectral signal by the sample substructure.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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