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자료유형
학술저널
저자정보
최규철 (동아대학교 화학공학과) 김덕열 (동아대학교 화학공학과) 김봉환 (넥스젠 파워) 장상목 (동아대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제36권 제2호
발행연도
2023.3
수록면
158 - 163 (6page)

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Recently, the global demands for high voltage power semiconductors are increasing across various industrial fields. The use of electric cars with high safety and convenience is becoming practical, and IGBT modules of 3.3 kV and 1.2 kA or higher are used for electric locomotives. Delicate design and advanced process technology are required, and research on the optimization of high-voltage IGBT parts is urgently needed in the industry. In this study, we attempted to design a simulation process through TCAD (technology computer-aid design) software to optimize the process conditions of the fielding process among the core unit processes for an especial high yield voltage. As well, the prior circuit technology design and a ring pattern with a large number of ring formation structures outside the wafer similar to the chip structure of other companies were constructed for 3.3 kV NPT-IGBT through a unit process demonstration experiment. The ring pattern was designed with 21 rings and the width of the ring was 6.6 μm. By changing the spacing between patterns from 17.4 μm to 35.4 μm, it was possible to optimize the spacing from 19.2 μm to 18.4 μm.
#High voltage power semiconductor #Process optimization #Ring pattern

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