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대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제60권 제11호(통권 제552호)
발행연도
2023.11
수록면
111 - 115 (5page)
DOI
10.5573/ieie.2023.60.11.111

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기존의 위상 압축 플립플롭(TCFF)은 내부 노드의 데이터 전환을 줄이고 트랜지스터 수를 최소화하여 높은 에너지 효율을 달성하지만, NTV(Near Threshold Voltage) 수준에서 동작할 경우 기능 장애로 이어질 수 있는 동작 실패 case가 존재한다. 이러한 문제를 해결하여 제시된 플립플롭(SCTCFF)은 전력 손실 없이 0.3V까지 동작할 수 있습니다. 65nm CMOS 공정을 사용하여 FF의 테스트 회로에서 SCTCFF는 1V, 10%/20%의 activitiy ratio에서 TGFF에 비해 44.4%/39.0%의 전력을 절약하는 것으로 나타났습니다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 설계된 플립플롭 구조
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (3)

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