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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.23 No.6
- 발행연도
- 2023.12
- 수록면
- 352 - 358 (7page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2023.23.6.352
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In this study, we conducted an analysis of time-dependent degradation by applying forward gate bias in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with p-GaN gate. The temperature-dependent breakdown voltage was extracted through step voltage stress with different temperatures. To assess the lifetime of the device, constant voltage stress was performed with varying stress voltages and temperatures. The mean-time-tofailure (MTTF) and activation energy (Ea) was extracted from Weibull plot and Arrhenius plot, respectively. P-GaN gate HEMTs have a negative activation energy and a positive temperature dependence on time-to-failure and breakdown voltage. This temperature dependence suggests that the degradation under forward gate bias is related to hot carriers generated by high electric field in the reverse-biased Schottky junction.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. MEASUREMENT
Ⅲ. RESULT AND DISCUSSION
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (32)
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M. Haziq, et al, “Challenges and Opportunities for High-Power and High-Frequency AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor (HEMT) Applications: A Review,” Micromachines, Vol. 13, No. 12, p. 2133, Dec., 2022.
H. Amano, et al, “The 2018 GaN power electronics roadmap,” J. Phys. D Appl. Phys., Vol. 51, p. 163001, Mar., 2018.
K. J. Chen, et al, “GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications,” IEEE trans. Eelctron Devices, Vol. 64, No. 3, pp. 779-795, Feb., 2017.
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M. Kanamura, et al, “Enhancement-Mode GaN MIS-HEMTs With n-GaN/i-AlN/n-GaN Triple Cap Layer and High- k Gate Dielectrics,” IEEE Electron Device Lett., Vol. 31, No. 3, pp. 189-191, Feb., 2010.
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