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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
전재진 (서울대학교) 신석진 (한양대학교) 민경태 (한양대학교) 윤상원 (서울대학교)
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제31권 제3호
발행연도
2024.9
수록면
99 - 104 (6page)

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전력전자 기술의 진보와 고효율 전력 반도체에 대한 수요가 증가함에 따라, 기존의 실리콘(Si) 반도체의 한계를 극복하기 위한 대안으로 실리콘 카바이드(SiC) 소자가 주목받고 있다. SiC 소자는 높은 스위칭 속도로 인해 탁월한 스위칭 효율을 가능하게 하지만, 파워모듈 내부에서 발생하는 기생 인덕턴스(Parasitic Inductance)로 인해 전압 진동 및 오버슈트 현상이 발생하여 전기적 신뢰성과 효율성에 문제를 일으킬 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 두 가지 접근법을 제시하고 입증하였다. 먼저, RC 스너버 회로를 적용하여 기생 인덕턴스의 영향을 완화함으로써 전기적 안정성을 증대시키는 방법을 시도하였다. 두 번째 방법으로 리드프레임 설계 최적화를 통하여 기생 인덕턴스를 감소시키는 방법을시도하였다. 이 두 가지 접근법 모두 시뮬레이션과 실험을 통해 검증함으로써 SiC 파워 모듈의 전기적 신뢰성과 효율성을 동시에 향상시킬 수 있음을 보였다.
#Parasitic inductance #RC snubber #Double pulse test (DPT) #Voltage overshoot #Switch loss #Silicon carbide (SiC)

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