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Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.2 No.6
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    To realize 10-Gbit/s optical transmission systems. we designed and fabricated a limiting amplifier with extremely high operation frequencies over 10 GHz using AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs), and investigated their performances. Circuit design and simulation were performed using SPICE and LIBRA. A discrete AlGaAs/GaAs HBT with the emitter area of 1.5×10 ㎛², used for the circuit fabrication, exhibited the cutoff frequency of 63 GHz and maximum oscillation frequency of 50 GHz. After fabrication of MMICs, we observed the very wide bandwidth of DC~15 GHz for a limiting amplifier from the on-wafer measurement. Ceramic-packaged limiting amplifier showed the excellent eye opening, the output voltage swing of 750mV_(p-p), and the rise/fan time of 40ps, measured at the data rates of 10-Gbit/s.

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