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공핍층 폭의 선형 변화를 가정한 단채널 MOSFET I-V 특성의 해석적 모형화 ( Analytical Modeling for Short-Channel MOSFET I-V Characteristics Using a Linearly-Graded Depletion Edge Approximation )
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공핍층 폭의 선형 변화를 가정한 단채널 MOSFET I-V 특성의 해석적 모형화 ( Analytical Modeling for Short-Channel MOSFET I-V Characteristics Using a Linearly-Graded Depletion Edge Approximation )
초록·키워드
By assuming a linearly graded depletion edge approximation in the intrinsic MOS region and by taking into account the mobility variation dependent on both lateral and vertical fields, a physics-based analytical model for a short-channel (n-channel) MOSFET is suggested. Derived expressions for the threshold voltage and the drain current of typical MOSFET structures could be used in a unified manner for all operating range The threshold voltage was calculated by changing following variables : channel length, drain-source voltage, source- substrate voltage, p-substrate doping level, and oxide thickness. It is shown that the threshold voltage decreases almost exponentially as the channel length decreases. In addition, the short-channel threshold voltage roll-off, the channel length modulation and the electron mobility degradation can be derived within a satisfactory accuracy.
본문·목차
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