LOW TEMPERATURE CHARACTERISTICS OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Q: 이 논문에서 정의한 저온 특성이란 무엇인가?

저온 특성은 전력 반도체 소자의 전기적 성능이 액체 질소 온도(77K) 이상의 저온 환경에서 어떻게 변화하는지를 나타낸다. 이는 주로 온 저항, 온 전압, 턴오프 시간, 게이트 트리거 전류 등의 파라미터 변화를 통해 평가되며, 소자의 효율성과 스위칭 성능에 미치는 영향을 포함한다.

Q: 전력 MOSFET의 저온 동작 시 온 저항은 어떻게 변화하는가?

연구 결과, 전력 MOSFET은 저온에서 우수한 온 저항 특성을 보이며, 80K에서의 온 저항은 280K 대비 약 7분의 1 수준으로 크게 감소한다. 이는 저온에서 캐리어 이동도가 증가하기 때문이며, 소자의 전력 손실을 현저히 줄이는 데 기여한다.

Yoshishige Murakami; Toshifumi Ise; Atsushi Ishigami

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LOW TEMPERATURE CHARACTERISTICS OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES LOW TEMPERATURE CHARACTERISTICS OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

저자정보: Yoshishige Murakami Toshifumi Ise Atsushi Ishigami

저널정보: 전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 1995년 ICPE논문집

발행연도: 1995.10

수록면: 213 - 218 (6page)

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LOW TEMPERATURE CHARACTERISTICS OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

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Characteristics of various power semiconductor devices, such as MOSFETs, IGBTs, SCRs and power diodes are discussed in this paper based on experimental and 2-dimen-sional device simulation results for temperature higher than liquid nitrogen(77K).

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