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    Multiple-stacked InAs/GaAs quantum dots (QDs) were grown by molecular beam epitaxy (MBE) and their optical properties were investigated by photoluminescence (PL) spectroscopy. To investigate the effects of GaAs(2 nm)/In0.1Ga0.9As(2 nm) strained layer on the optical properties of multiple-stacked InAs/GaAs QDs, the 10 periods of the GaAs/In0.1Ga0.9As strained layer was grown on the GaAs buffer layer and InAs QDs layer, respectively. The PL peak positions of the multiple-stacked GaAs/InAs QDs embedded in GaAs/In0.1Ga0.9As strained layer were blue-shifted with narrowing of the full width at half maximum ... 전체 초록 보기

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