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초록·키워드
ZnO is gathering great interest for large square optoelectrical devices of flat panel display (FHD) and solar cell as a transparent conductive oxide (TCO). Herewith, Mg and IIIA (Al, In) co-doped ZnO films were prepared on SLG substrate using RF magnetron sputtering system. The effect of variation of atomic weight % of Mg and ZnO have been investigated. The atomic weight % Al and In are of 3% and kept constant throughout. The numbers of samples were prepared according to their different contents, which are M<SUB>3%</SUB>AZO<SUB>94%</SUB>, M<SUB>4%</SUB>AZO<SUB>93%</SUB>-(MAZO) and M<SUB>3%</SUB>IZO<SUB>94%</SUB>, M<SUB>4%</SUB>IZO<SUB>93%</SUB>-(MIZO) respectively. A RF power of 225 W and working pressure of 6 m Torr was used for the deposition at 300°C. All of the two thin film show good uniformity in field emission scanning electron microscopy image. M3%AZO94% thin film shows overall better performance among the all. The film shows the best lowest resistivity, carrier concentration, mobility and Sheet resistance and is found to be are of 8.16×10<SUP>-4</SUP>Ωcm, 4.372×10<SUP>20</SUP>/cm<SUP>3</SUP>, 17.5 cm<SUP>2</SUP>/vs and 8.9Ω/sq respectively. Also M<SUB>3% </SUB>AZO<SUB>94%</SUB> thin film shows the relatively high optical band gap energy of 3.7 eV with high transmittance more than 80% in visible region required for the better solar cell performance.
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