Characteristics of 0.1μm nMOSFETs with Different Channel Doping and Gate Oxide Thickness

채널 영역에 불순물을 균일하게 도핑하지 않고 특정 깊이에 따라 도핑 농도를 변화시키는 기술이다. 이는 MOSFET의 채널 길이가 짧아짐에 따라 발생하는 문턱 전압 감소 및 드레인 유도 장벽 감소와 같은 단채널 효과를 효과적으로 억제하기 위해 사용된다.

연구 결과, 30Å의 초박막 게이트 산화막과 8×10¹²/cm²의 채널 주입량을 적용한 비균일 채널 도핑 구조가 가장 효과적이다. 이러한 설계는 subthreshold swing과 드레인 오프 전류를 개선하며 우수한 전기적 성능과 단채널 효과에 대한 내성을 제공한다.

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저널정보: 대한전자공학회 KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING 제7권 3호

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Characteristics of 0.1μm nMOSFETs with Different Channel Doping and Gate Oxide Thickness

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