Annealing effects of initial amorphous ZnO layer on structural and the optical properties of ZnO thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

플라즈마 보조 분자선 에피택시 방법을 의미하며, 플라즈마를 활용하여 기판 위에 박막을 성장시키는 기술이다. 본 연구에서는 p-type Si (100) 기판 위에 산화아연 박막을 성장시키기 위한 핵심 공정 기술로 사용되었다.

연구 결과, 결정화 온도가 600°C에서 800°C로 증가하면 NBEE/DLE의 PL 강도 비율이 감소하지만, 900°C에서는 다시 증가한다. 따라서 특정 온도 이상의 열처리가 ZnO 박막의 결정성 및 광학적 품질 향상에 기여함을 알 수 있다.

학술대회자료

저자정보: Do Yeob Kim (인제대학교) Min Su Kim (인제대학교) Ghun Sik Kim (인제대학교) Su Min Jeon (인제대학교) Min Young Cho (인제대학교) Hyun Young Choi (인제대학교) Kwang Gug Yim (인제대학교) Byeong Guck Choi (인제대학교) Dong-Yul Lee (삼성LED) Joo In Lee (한국표준과학연구원) Sung Dong Park (알파플러스) Myong Hyo Jung (알파플러스) Eundo Kim (알파플러스) Do-Weon Hwang (알파플러스) Jae-Young Leem (인제대학교)

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