Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Based Nonvolatile Memory Devices Using Silicon Nanowire Conducting Channel

Q: 이 논문에서 정의한 강유전체 게이트 전계 효과 트랜지스터란 무엇인가?

강유전체 게이트 전계 효과 트랜지스터는 나노와이어를 전도성 채널로 사용하여 기존 메모리 소자 대비 작은 셀 크기, 저전압 작동, 낮은 전력 소비, 빠른 프로그래밍/소거 속도 및 비휘발성과 같은 뛰어난 장점을 제공하는 메모리 소자이다.

Q: 실리콘 나노와이어 기반 강유전체 메모리 소자의 핵심 성능은 무엇인가?

연구 결과, p형 Si 나노와이어 강유전체 메모리 소자는 ON 및 OFF 상태 간 10^5 이상의 큰 채널 전도도 변조, 5 x 10^4초 이상의 긴 유지 시간, 그리고 10^3 이상의 ON/OFF 비율을 유지하며 10^5회 이상의 높은 내구성을 보여주었다.

NGOC Huynh Van; Jae Hyun Lee; Jung Inn Sohn; Seungnam Cha; Dongmok Hwang; Jongmin Kim; Dae Joon Kang

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저자정보: NGOC Huynh Van (성균관대학교) Jae Hyun Lee (성균관대학교) Jung Inn Sohn (성균관대학교) Seungnam Cha (성균관대학교) Dongmok Hwang (성균관대학교) Jongmin Kim (성균관대학교) Dae Joon Kang (성균관대학교)

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Ferroelectric-gate field effect transistor based memory using a nanowire as a conducting channel offers exceptional advantages over conventional memory devices, like small cell size, low-voltage operation, low power consumption, fast programming/erase speed and non-volatility. We successfully fabricated ferroelectric nonvolatile memory devices using both n-type and p-type Si nanowires coated with organic ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) [P(VDF-TrFE)] via a low temperature fabrication process. The devices performance was carefully characterized in terms ... 전체 초록 보기

#Ferroelectric-gate field effect transistor #P-type Si #Nonvolatile memory

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