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초록·키워드
In this paper, two kinds of robust 700V DR-LDMOS (Double RESURF LDMOS) using thin epitaxial technology has been realized for level shifter and switching applications. The P-TOP layer is introduced to reduce on-resistance while maintaining high breakdown voltage for switching applications, and to increase on-breakdown voltage using JFET resistance for level shifter. The result is that the breakdown voltage of the 700V LDMOS for level shifter is 900V with on-breakdown of over 650V. In terms of switching applications, we have adopted HVPWELL layer of rainbow shape at source corner region to reduce n-type charge of N-EPI region and achieved the breakdown voltage of over 750V.
본문·목차
인공지능 문자 인식 모델을 통해 추출된 텍스트로, 일부 오타나 오류가 포함될 수 있으나 지속적으로 개선 중입니다.
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