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Surface Treatment of Ge Grown Epitaxially on Si by Ex-Situ Annealing for Optical Computing by Ge Technology

논문 기본 정보

저자정보
(Stanford University) (Stanford University) (Gachon University) (Seoul National University) (Stanford University)
저널정보
대한전자공학회 IEIE Transactions on Smart Processing & Computing IEIE Transactions on Smart Processing & Computing Vol.3 No.4
발행연도
수록면
331 - 337 (7page)
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Surface Treatment of Ge Grown Epitaxially on Si by Ex-Situ Annealing for Optical Computing by Ge Technology
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    초록·키워드

    Ge is becoming an increasingly popular semiconductor material with high Si compatibility for on-chip optical interconnect technology. For a better manifestation of the meritorious material properties of Ge, its surface treatment should be performed satisfactorily before the electronic and photonic components are fabricated. Ex-situ rapid thermal annealing (RTA) processes with different gases were carried out to examine the effects of the annealing gases on the thin-film quality of Ge grown epitaxially on Si substrates. The Ge-on-Si samples were prepared in different structures using the same equipment, reduced-pressure chemical vapor deposition (RPCVD), and the samples annealed in N2, forming gas (FG), and O₂ were compared with the unannealed (deposited and only cleaned) samples to confirm the improvements in Ge quality. To evaluate the thin-film quality, room-temperature photoluminescence (PL) measurements were performed. Among the compared samples, the O₂-annealed samples showed the strongest PL signals, regardless of the sample structures, which shows that ex-situ RTA in the O₂ environment would be an effective technique for the surface treatment of Ge in fabricating Ge devices for optical computing systems.
    #Germanium #Si compatibility #Si photonics #On-chip optical interconnect #Epitaxial growth #Rapid thermal annealing #Ge-on-Si #Photoluminescence #Surface treatment

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