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초록·키워드
In STT-MRAMs, switching characteristics of MTJ and the source degeneration of the access transistor lead to unbalanced switching times for Pto-AP and AP-to-P (P: parallel, AP: anti-parallel) transitions during write operations: one transition (AP-to-P) completes faster than the other transition (P-to-AP). As a result, the bit-cell write time is determined by the P-to-AP switching. However, for bit-cells undergoing AP-to-P transition, the current flows through the bit-cells even after the switching is complete, leading to unnecessary write energy consumption. In order to address the write energy wastage and improve energy efficiency of an STTMRAM, we propose three design techniques: 1) Lowvoltage Bit-Line Drive (LBLD), 2) Bit-Line Gating (BLG), and 3) Hybrid Bit-Line Driver (HBLD). The proposed techniques achieve write energy reduction by 71-84% for AP-to-P switching.
본문·목차
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