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초록·키워드
Resistive random-access memory (RRAM) is a promising emerging non-volatile memory because it offers high density, low power, low cost, and large R-ratios (RHRS / RLRS). However, the sensing margin of RRAM is significantly degraded because of RRAM resistance variations and R-ratio degradation over usage. To overcome these challenges, this work proposes a reliable current sense amplifier assisted with dynamic reference (DR-CSA) to improve the sensing margin and robustness. The proposed sensing circuit detects a small voltage change through capacitive coupling and adjusts the reference current depending on the cell states (R<SUB>HRS</SUB>, R<SUB>LRS</SUB>) for sensing margin enhancement. It also reduces sensing delay and energy by up to 53% and 32%, respectively, compared with the conventional CSA. Also, the sensing speed is improved by 2.3x, 2.1x, and 1.9x compared to other current sensing schemes.
본문·목차
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UCI(KEPA) : I410-ECN-151-24-02-090054938
