인문학
사회과학
자연과학
공학
의약학
농수해양학
예술체육학
복합학
DBpia AI
AI 에이전트
AI 아이디어
AI 리더
AI 뷰어
Citeasy
크롬 서지관리 다운로드
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
초록·키워드
Gate length가 0.1㎛인 floating body(FB) PD-SOI MOSFET에서 나타나는 RF inductive 효과를 모델링한 effective inductance L<sub>k</sub>와 RF kink resistance R<sub>k</sub>의 V<sub>GS</sub> 종속성을 측정된 S-parameter로부터 direct하게 추출한 후에 처음으로 물리적으로 분석하였다. V<sub>GS</sub> 증가에 따라 L<sub>k</sub>와 R<sub>k</sub>의 값이 감소하게 되는데, 이는 L<sub>k</sub>가 body transconductance g<sub>mb</sub>와 impact ionization conductance g<sub>mi</sub>에 반비례하고, R<sub>k</sub>는 g<sub>mb</sub>와 반비례하기 때문이다. 물리적으로 유도된 방정식들을 사용하여, 0.1㎛의 short-channel FB 소자에서 V<sub>GS</sub>가 커질 때 g<sub>mi</sub>가 상승되는 현상은 impact ionization multiplication factor의 감소보다 I<sub>DS</sub> 증가가 더 우세하여 발생하고, V<sub>GS</sub> 상승에 따른 g<sub>mb</sub>의 증가는 transconductance와 내부 body 전압의 상승이 주요 원인임을 확인하였다. 이러한 L<sub>k</sub>와 R<sub>k</sub>의 V<sub>GS</sub> 전압 종속성은 물리적인 등가회로를 사용한 S-parameter optimization 과정을 통해 V<sub>GS</sub> 증가에 따라 g<sub>mi</sub>와 g<sub>mb</sub> 추출 값이 상승하는 것을 관찰함으로써 검증되었다.
본문·목차
인공지능 문자 인식 모델을 통해 추출된 텍스트로, 일부 오타나 오류가 포함될 수 있으나 지속적으로 개선 중입니다.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
최근 본 자료 전체보기
UCI(KEPA) : I410-151-25-02-091205121
