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논문 기본 정보

저자정보
(Seoul National University of Science & Technology) (Seoul National University of Science & Technology)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.24 No.6
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    In this study, we address both Z- interference and program disturbance in 3D NAND Flash Memory by proposing an innovative asymmetric program-pass voltage technique. Utilizing Technology Computer-Aided Design (TCAD) simulations, our approach applies varying pass voltages to adjacent word lines, effectively reducing Z-interference and program disturbances. This method enhances cell reliability and performance, marking a significant advancement in 3D NAND Flash Memory technology. Our findings emphasize the critical role of program operation conditions in memory design, offering a viable solution to the challenges posed by increased storage density demands.
    #3D NAND flash memory #asymmetric program-pass voltage #Z-interference #program disturbance

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