인문학
사회과학
자연과학
공학
의약학
농수해양학
예술체육학
복합학
DBpia AI
AI 에이전트
AI 아이디어
AI 리더
AI 뷰어
Citeasy
크롬 서지관리 다운로드
개인구독
소속 기관이 없으신 경우, 개인 정기구독을 하시면 저렴하게
논문을 무제한 열람 이용할 수 있어요.
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 저자정보
피인용 0
초록·키워드
As the demand for advanced memory technologies grows, the development of next-generation memory devices is required. One promising candidate is resistive random access memory (RRAM), which is advantageous for high-density integration in three-dimensional vertical crossbar array architectures due to its simple metal-insulator-metal structure [1]. In this study, we fabricated an RRAM device and analyzed the characteristics of the HfOx insulating layer when it possesses a nanoporous structure. The HfOx insulating layer was deposited to induce the nanoporous structure by RF sputtering. When the HfOx insulating layer has a nanoporous structure, the device exhibits a minimum current existing at a specific voltage and rectifying properties. These characteristics result from the migration of oxygen vacancies and the presence of oxygen ions in the pores. Depending on the applied voltage magnitude, the internal electric field created by the negatively charged oxygen ions in the pores shifts the voltage point of the minimum current. In addition, the Schottky-like barrier modulation induced by migration of oxygen vacancies leads to a non-linear I-V switching behavior. The resistive switching mechanism observed in the nanoporous insulating layer plays a crucial role in enhancing the device’s performance. These findings provide valuable insights into understanding the electrical characteristics of other RRAM devices with similar structures.
본문·목차
인공지능 문자 인식 모델을 통해 추출된 텍스트로, 일부 오타나 오류가 포함될 수 있으나 지속적으로 개선 중입니다.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
최근 본 자료 전체보기
UCI(KEPA) : I410-151-25-02-092293956
