인문학
사회과학
자연과학
공학
의약학
농수해양학
예술체육학
복합학
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 저자정보
초록·키워드
To enhance the density and performance of semiconductor devices, 3D packaging with hybrid Cu bonding is emerging as a critical technology. One of the dielectrics used in hybrid Cu bonding is SiCN, typically deposited using PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). In this study, we investigated SiCN deposited at room temperature using PVD (physical vapor deposition). The SiCN, with a thickness of 150 nm, exhibited a surface roughness of 0.3-0.4 nm after the CMP (chemical mechanical polishing) process and a contact angle of about 10 degrees and dielectric constant of 3.9, indicating its potential as a dielectric for hybrid Cu bonding. And, PVD SiCN-SiCN bonding was performed at 260℃, resulting in a uniform and void-free interface.
본문·목차
인공지능 문자 인식 모델을 통해 추출된 텍스트로, 일부 오타나 오류가 포함될 수 있으나 지속적으로 개선 중입니다.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
최근 본 자료 전체보기
UCI(KEPA) : I410-151-25-02-092302898