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논문 기본 정보

저자정보
(Hongik University) (Hongik University) (Kunsan National University) (Hongik University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.25 No.2
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    The monolithic integration of a driving integrated circuit (IC) with a micro-light-emitting diode (micro-LED) offers the advantage of transfer-free integration between the LED and the driving IC. A p-GaN/AlGaN/GaN eterojunction platform was employed to fabricate the monolithically integrated driving IC within individual micro-LED pixels. A 2T1C driving IC, featuring enhancement-mode GaN transistors and a metal-insulator-metal (MIM) capacitor, was designed and monolithically fabricated on a single wafer. The prototype micro-LED pixel with the integrated driving IC demonstrated successful operation, with fast rise and fall times of 20 ns and 50 ns, respectively.
    #p-GaN/AlGaN/GaN heterojunction #micro-LED #2T1C driving IC #monolithic integration

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