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초록·키워드
A 1.2 kV SiC H-shaped poly-Si gate MOSFET (HPG MOSFET) structure was proposed to effectively reduce switching loss without compromising static device characteristics. The structure features a locally etched poly-Si gate electrode, and its performance was analyzed by evaluating the specific on-resistance (R<sub>on,sp</sub>), gate-to-drain charge (Q<sub>gd,sp</sub>), and maximum oxide electric field (E<sub>ox,max</sub>) at the poly-Si gate corner according to the etched area. Under optimized conditions, the proposed HPG MOSFETs achieved a significant reduction in Q<sub>gd,sp</sub> with only a negligible increase in R<sub>on,sp</sub> compared to conventional SiC planar MOSFETs. Additionally, Eox,max at the gate corner remained below 3 MV/cm. These findings demonstrate that the 1.2 kV SiC HPG MOSFET can significantly enhance energy efficiency.
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