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논문 기본 정보

저자정보
(University of Seoul) (University of Seoul) (Samsung Electronics Company) (Samsung Electronics Company) (Myongji University) (Samsung Electronics Company)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.25 No.4
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    This study presents a modeling approach for the current-voltage (I-V) characteristics of 3D-NAND flash memory using the BSIM-CMG (GEOMOD=3) transistor model combined with a genetic algorithm-based parameter optimization technique. Reference data were extracted from technology computer-aided design (TCAD) simulations for structures with one, three, and five word-line (WL) layers, and these data were utilized to optimize the parameters of the BSIM-CMG model. The results demonstrate that the I-V characteristics of 3D-NAND strings with up to 500 layers can be effectively represented, capturing variations in the I-V curves depending on the WL position on both linear and logarithmic scales. Furthermore, the current-voltage characteristics of tapered channel hole structures were successfully modeled. This work provides a robust framework for accurately simulating the electrical behavior of advanced 3D-NAND flash memory devices.
    #I-V modeling #3D-NAND #BSIM-CMG #genetic algorithm #parameter extraction #compact modeling #tapered hole

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