인문학
사회과학
자연과학
공학
의약학
농수해양학
예술체육학
복합학
DBpia AI
AI 에이전트
AI 아이디어
AI 리더
AI 뷰어
Citeasy
크롬 서지관리 다운로드
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 저자정보
피인용 0
초록·키워드
In the field of CMOS image sensors (CIS), achieving high resolution while maintaining cost efficiency is a critical challenge. As the demand for high-resolution images in mobile devices continues to grow, preserving cost efficiency in the manufacturing process is increasingly important. To achieve this, it is necessary to extend the source follower (SF) to shorter channels. However, reducing the length of SF channels leads to a decrease in gain, which is a major source of nonlinearity in CIS. This paper presents a comprehensive study on the linearity of SF gain, with an analysis of gain performance through technology computer-aided design (TCAD) modeling and simulation. Compared to conventional n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOS) SF, tunnel field-effect transistor (TFET) SF demonstrate superior gain and linearity, although the miniaturization process also results in a significant reduction in gain for TFET SF. To address this, we have analyzed gain improvement through structural optimization of TFET SF. Consequently, the optimized TFET SFs exhibit enhanced gain, and we propose the use of an optimized TFET as the pixel SF to significantly improve the linearity performance of CIS.
본문·목차
인공지능 문자 인식 모델을 통해 추출된 텍스트로, 일부 오타나 오류가 포함될 수 있으나 지속적으로 개선 중입니다.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
최근 본 자료 전체보기
UCI(KEPA) : I410-151-26-02-094305169
