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대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications International Conference on Electronics, Informations and Communications (ICEIC) 2006, Vol. 2
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    We present the effects of multiple fins on 30-nm self-aligned gate-all-around MOSFETs with the large source/drain fan-out structure. The device with the large source/drain fan-out structure has an advantage that the parasitic source/drain resistance is reduced. However it also introduces the high gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance. It results in the degradation of the device performance such as the intrinsic gate delay. In this paper, we confirm that the device performance is improved by using multiple fins in our device.

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