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초록·키워드
Phase Change Memory(PCM)은 최근 개발된 비휘발성 메모리로서 DRAM을 대체할만한 메모리로 기대되고 있다. PCM을 메인 메모리 계층에서 사용 시 얻을 수 있는 장점으로는 높은 직접도, 비휘발성, 낮은 누설 전류를 꼽을 수 있다. 그러나 높은 쓰기 지연과 쓰기 전력소모 및 내 구성 등의 문제가 존재한다. 본 연구에서는 쓰기 작업 시 발생하는 높은 전력 소비 문제를 개선하기 위하여 새로운 쓰기 방법을 제안하고 있다. 제안한 쓰기 방법은 PCM에서 쓰기 작업을 최소화하기 위한 부분 쓰기(partial write) 방법과 쓰기 작업 시 갱신이 불필요한 비트를 줄여 소 ... 전체 초록 보기
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-560-000869214
