GaN HEMT를 사용한 Half-Bridge 구조에서의 스위치 상호작용에 의한 게이트 전압분석

Q: 이 논문에서 정의한 스위치 상호작용이란 무엇인가?

Half-Bridge 구조에서 하나의 스위치 동작이 다른 스위치에 영향을 주는 현상을 의미한다. 특히 상단 스위치의 턴-온 및 턴-오프 동작이 하단 스위치의 게이트 전압에 변화를 일으켜 전압 노이즈를 유발하는 메커니즘을 중심으로 분석한다.

Q: GaN HEMT Half-Bridge 구조에서 하단 게이트 전압 노이즈를 줄이는 방법은 무엇인가?

연구 결과, 게이트 저항 값의 조절을 통해 노이즈를 제어할 수 있다. 구체적으로 상단 게이트 저항의 값을 크게 설정하고 하단 게이트 저항의 값을 작게 설정할수록 하단 스위치에 발생하는 게이트 전압 노이즈가 감소하는 경향을 보인다.

채훈규; 김동희; 김민중; 이병국

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저자정보: 채훈규 (성균관대학교) 김동희 (동명대학교) 김민중 (성균관대학교) 이병국 (성균관대)

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제65권 제10호

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This paper presents the analysis of the gate-source voltage of the gallium nitride high electronic mobility transistor (GaN HEMT) in the half bridge structure focused on the mutual effects of two switching operation. Especially low side gate-source voltage is analyzed mathematically according to the high side switch turn-on and turn-off operation. Moreover, the influence of each gate resistance and parasitic component on the switching characteristic of other side switch is investigated, and the formula, simulation and experimental results are compared with theoretical data.

#Gallium nitride high electronic mobility transistor (GaN HEMT) #Gate driver #Parasitic component model #Half-Bridge converter

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