GaN Cascode FET with On-Current of 38 A and Blocking Voltage of 450 V

Q: 이 논문에서 정의한 GaN Cascode FET이란 무엇인가?

저전압 normally-off Si MOSFET과 고전압 normally-on GaN FET을 결합하여 구성한 소자 구조다. 이를 통해 높은 전류 처리 능력과 높은 차단 전압 동작을 동시에 가능하게 하며, 특히 고속 및 고전력 매트릭스 컨버터와 같은 전력 변환 응용 분야에 최적화된 특성을 제공한다.

Q: GaN Cascode FET의 전기적 서지 보호를 위한 핵심 방법은 무엇인가?

연구 결과, Si MOSFET의 소스 전극과 GaN FET의 게이트 전극 사이에 1 MΩ의 고저항을 추가로 연결함으로써 서지 전류를 효과적으로 감소시켰다. 이러한 구조적 개선은 소자의 안정적인 작동을 보장하며 고전압 환경에서도 전기적 보호 기능을 제공한다.

Woojin Chang; Jae Kyoung Mun; Sungbum Bae; Hyungseok Lee; Jinsik Kim; Jong-Won Lim

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저자정보: Woojin Chang (Electronics and Telecommunications Research Institute) Jae Kyoung Mun (Electronics and Telecommunications Research Institute) Sungbum Bae (Electronics and Telecommunications Research Institute) Hyungseok Lee (Electronics and Telecommunications Research Institute) Jinsik Kim (Electronics and Telecommunications Research Institute) Jong-Won Lim (Electronics and Telecommunications Research Institute)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2018년도 대한전자공학회 하계종합학술대회

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This paper presents a GaN cascode FET for high current and high-blocking voltage operation using a low-voltage normally-off Si MOSFET and two high-voltage normally-on GaN FETs. And it also presents a method of electric surge protection of a cascode structure which is proposed to add a high resistor interconnected between the source electrode of the Si MOSFET and the gate electrodes of the GaN FETs in a conventional cascode structure. From the measured results of the pro ... 전체 초록 보기

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