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Block Unit Mapping Technique of NAND Flash Memory Using Variable Offset 가변 오프셋을 이용한 낸드 플래시 메모리의 블록 단위 매핑 기법
논문 기본 정보
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.8
- 수록면
- 9 - 17 (9page)
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Block Unit Mapping Technique of NAND Flash Memory Using Variable Offset
초록·키워드
In this paper, we propose a block mapping technique applicable to NAND flash memory. In order to use the NAND flash memory with the operating system and the file system developed on the basis of the hard disk which is mainly used in the general PC field, it is necessary to use the system software known as the FTL (Flash Translation Layer). FTL overcomes the disadvantage of not being able to overwrite data by using the address mapping table and solves the additional features caused by the physical structure of NAND flash memory. In this paper, we propose a new mapping method based on the block mapping method for efficient use of the NAND flash memory. In the case of the proposed technique, the data modification operation is processed by using a blank page in the existing block without using an additional block for the data modification operation, thereby minimizing the block unit deletion operation in the merging operation. Also, the frequency of occurrence of the sequential write request and random write request Accordingly, by optimally adjusting the ratio of pages for recording data in a block and pages for recording data requested for modification, it is possible to optimize sequential writing and random writing by maximizing the utilization of pages in a block.
본문·목차
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