Induction Heating System에서 SiC MOSFET과 GaN Transistor의 Performance 비교를 통한 소자 적합성 분석

Q: 이 논문에서 정의한 WBG 소자란 무엇인가?

WBG 소자는 높은 전압 정격에서 낮은 온 저항 및 스위칭 손실을 가지며, 고속 스위칭이 가능한 물리적 특성이 우수한 소자이다. 이는 다양한 애플리케이션에서 시스템의 크기를 줄여 전력 밀도와 비용 측면에서 이점을 제공하며, SiC MOSFET과 GaN Transistor가 대표적이다.

Q: IH 시스템에서 SiC와 GaN 소자의 적합성은 출력 전력에 따라 어떻게 달라지는가?

연구 결과, IH 시스템에서 2kW 이하의 낮은 출력 전력에서는 스위칭 손실이 적은 GaN이 더 우수한 특성을 보였다. 그러나 2kW 이상의 높은 출력 전력에서는 도통 손실과 역방향 도통 손실이 적고 열 성능이 우수한 SiC가 더 적합하다. 따라서 출력 전력 범위에 따라 적합한 소자가 달라진다.

차광형; 김래영

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 차광형 (한양대학교) 김래영 (한양대학교)

저널정보: 전력전자학회 전력전자학회 학술대회 논문집 전력전자학회 2019년도 추계학술대회 논문집

발행연도: 2019.11

수록면: 82 - 84 (3page)

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본 논문에서는 Induction Heating(IH) 시스템에서 WBG 소자인 SiC MOSFET과 GaN Transistor의 Performance 비교를 통해서 소자의 적합성을 분석한다. SiC 및 GaN 소자를 직렬 공진형 컨버터로 구성된 IH 시스템에 적용하여 온도, 전압 ,전류, G ... 전체 초록 보기

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