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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
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- 발행연도
- 2010.6
- 수록면
- 83 - 83 (1page)
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Hydrogenated a-SiGe middle cell for triple junction solar cell was investigated with various process parameters. a-SiGe I-layer was deposited at substrate temperature 245?C and hydrogen content(R) was up to 26.7. Low optical bandgap(1.45eV) of a-SiGe cell was applied for middle cell although a-SiGe si ... 전체 초록 보기
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