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초록·키워드
전자재료 및 광학용으로 널리 사용되며 그 수요가 날로 증가하고 있는 Borofloat, BK7, Quartz, Sapphire, Silicon 등의 세라믹 기판을 만들기 위해서는 Ingot을 성장시켜 얇게 절단하는 Ingot Slicing 공정, 기판의 두께를 조절하고 평탄화를 이루기 위한 Lapping 공정 및 최종 Polishing 공정을 거쳐야 하는데, 본 연구의 목적은 Lapping 공정의 효율을 획기적으로 개선하기 위한 상업적인 용도로서의 Diamond Lapping Pad를 개발하는 것이다.
Lapping 공정은 Slurry를 사용하는 3-Body Lapping Process 와 Slurry를 사용하지 않는 2-Body Lapping Process 로 나눌 수 있는데, 기존의 3-Body Lapping Process 는 lapping 정반과 기판 사이에 연마재를 함유하고 있는 Slurry를 지속적으로 공급하여야 한다. Slurry 내의 연마재는 주로 Rolling Action 에 의해 기판을 연마하게 되는데 연마제의 크기, 분포 및 농도 등을 일정하게 관리하는 것이 기판의 최종 품질을 위해서 매우 중요하다. 또한 일정한 연마력을 유지하기 위해서는 Lapping 후 정반의 표면을 Dressing 하여야 하므로 공정의 효율이 떨어지고 이로 인한 공정비용이 상승되며 사용하고 난 폐Slurry 의 처리는 환경문제를 유발할 수 있다. 이에 반해 최근에 사용되기 시작한 2-Body Lapping Process 는 Lapping Pad 에 고함량의 연마재를 함유하고 있어서 Slurry를 사용하지 않고 DI Water 만을 사용하여 연마가 가능하며 Dressing 공정없이 연속적으로 연마하여도 연마력이 일정하게 유지되는 혁신적인 공법이기는 하지만 이런 요건에 맞는 Lapping Pad 는 아직 수요자의 요구를 만족시키지 못하는 기술적인 한계를 극복하지 못하였다. 따라서 본 연구에서는 Slurry를 사용하지 않고 또한 lapping 후 Pad 의 표면을 Dressing 하지 않는 특성을 갖는 Diamond Lapping Pad를 상업적인 측면에서 개발하고자 하였다.
본 연구에 사용된 기판으로서는 Borofloat, BK7, Quartz 및 Sapphire 를 사용하였으며, Lapping의 성능은 640mm 직경의 양면 Lapping 기에 3 장의 기판을 이용하여 최적의 압력과 회전속도를 일정하게 유지하면서 연마속도 (Material Removal Rate, MRR) 와 표면조도 (Surface Roughness, Ra)를 측정하여 각각 비교하였다.
대체로 연마용 제품은 연마재, 접착제로서의 바인더 및 기공으로 구성되는데, 본 연구에 사용된 주요 연마재로서는 Diamond 와 알루미나를 단일입자 상태와 전처리된 입자 상태로서 사용하였고, 연마재의 접착제로서 바인더로는 일반적으로 연마용 제품에 많이 사용되고 있는 열경화성의 페놀수지와 3 차원 형상을 용이하게 만들 수 있으며 또한 용제를 포함하지 않아 친환경적인 광경화성의 고분자수지를 사용하였으며, Lapping Pad의 연마돌기에 일정 부피의 기공을 형성하기 위해 인위적인 기공형성제로서 중탄산나트륨(Sodium Bicarbonate)을 사용하였다.
본 연구에서 Diamond 의 연마입자 크기가 각각 2, 5, 8 및 10 ㎛ 로 최적화된 배합으로 새로이 개발된 Diamond Lapping Pad 는 정밀광학용 유리로서 Borofloat, BK7 및 반도체용 Blank Mask로 사용되는 Quartz 기판에 대하여 연마하였을 때 Slurry 를 공급하지 않고도 우수한 연마속도와 표면조도를 나타내었으며, Lapping 후 연마패드의 표면을 Dressing 하지 않고 연속적으로 연마할 경우에도 초기와 같은 일정한 연마력과 표면조도를 유지하였다. 다만 Sapphire 기판의 경우는 낮은 연마력을 나타내었는데, 이는 Sapphire 의 높은 경도 특성에 기인한 것으로서 일반적인 광학유리의 연마 메카니즘과는 다르다고 할 수 있다. 일반적으로 유리는 취성재료로 분류되지만 Sapphire와 비교할 때에는 약연성의 취성재료 특성을 보이며 Sapphire 는 강성의 취성재료로서 이를 위한 보다 정확한 메카니즘의 분석이 필요하며 이에 따른 상업적 용도의 Sapphire 기판 연마용 2-Body Lapping Pad 의 개발은 이어지는 다음 연구에서 가능할 것으로 사료된다. 결론적으로 본 연구에서 개발된 Diamond Lapping Pad 는 여러 가지 전자 및 광학소재의 높은 연마속도와 낮은 표면조도를 구현하는 고품질 연마를 바탕으로 기존의 Slurry 방식을 개선할 뿐만 아니라 공정효율을 최적화하여 비용을 줄이며 나아가 친화적인 작업환경을 가능하게 한다.
Lapping 공정은 Slurry를 사용하는 3-Body Lapping Process 와 Slurry를 사용하지 않는 2-Body Lapping Process 로 나눌 수 있는데, 기존의 3-Body Lapping Process 는 lapping 정반과 기판 사이에 연마재를 함유하고 있는 Slurry를 지속적으로 공급하여야 한다. Slurry 내의 연마재는 주로 Rolling Action 에 의해 기판을 연마하게 되는데 연마제의 크기, 분포 및 농도 등을 일정하게 관리하는 것이 기판의 최종 품질을 위해서 매우 중요하다. 또한 일정한 연마력을 유지하기 위해서는 Lapping 후 정반의 표면을 Dressing 하여야 하므로 공정의 효율이 떨어지고 이로 인한 공정비용이 상승되며 사용하고 난 폐Slurry 의 처리는 환경문제를 유발할 수 있다. 이에 반해 최근에 사용되기 시작한 2-Body Lapping Process 는 Lapping Pad 에 고함량의 연마재를 함유하고 있어서 Slurry를 사용하지 않고 DI Water 만을 사용하여 연마가 가능하며 Dressing 공정없이 연속적으로 연마하여도 연마력이 일정하게 유지되는 혁신적인 공법이기는 하지만 이런 요건에 맞는 Lapping Pad 는 아직 수요자의 요구를 만족시키지 못하는 기술적인 한계를 극복하지 못하였다. 따라서 본 연구에서는 Slurry를 사용하지 않고 또한 lapping 후 Pad 의 표면을 Dressing 하지 않는 특성을 갖는 Diamond Lapping Pad를 상업적인 측면에서 개발하고자 하였다.
본 연구에 사용된 기판으로서는 Borofloat, BK7, Quartz 및 Sapphire 를 사용하였으며, Lapping의 성능은 640mm 직경의 양면 Lapping 기에 3 장의 기판을 이용하여 최적의 압력과 회전속도를 일정하게 유지하면서 연마속도 (Material Removal Rate, MRR) 와 표면조도 (Surface Roughness, Ra)를 측정하여 각각 비교하였다.
대체로 연마용 제품은 연마재, 접착제로서의 바인더 및 기공으로 구성되는데, 본 연구에 사용된 주요 연마재로서는 Diamond 와 알루미나를 단일입자 상태와 전처리된 입자 상태로서 사용하였고, 연마재의 접착제로서 바인더로는 일반적으로 연마용 제품에 많이 사용되고 있는 열경화성의 페놀수지와 3 차원 형상을 용이하게 만들 수 있으며 또한 용제를 포함하지 않아 친환경적인 광경화성의 고분자수지를 사용하였으며, Lapping Pad의 연마돌기에 일정 부피의 기공을 형성하기 위해 인위적인 기공형성제로서 중탄산나트륨(Sodium Bicarbonate)을 사용하였다.
본 연구에서 Diamond 의 연마입자 크기가 각각 2, 5, 8 및 10 ㎛ 로 최적화된 배합으로 새로이 개발된 Diamond Lapping Pad 는 정밀광학용 유리로서 Borofloat, BK7 및 반도체용 Blank Mask로 사용되는 Quartz 기판에 대하여 연마하였을 때 Slurry 를 공급하지 않고도 우수한 연마속도와 표면조도를 나타내었으며, Lapping 후 연마패드의 표면을 Dressing 하지 않고 연속적으로 연마할 경우에도 초기와 같은 일정한 연마력과 표면조도를 유지하였다. 다만 Sapphire 기판의 경우는 낮은 연마력을 나타내었는데, 이는 Sapphire 의 높은 경도 특성에 기인한 것으로서 일반적인 광학유리의 연마 메카니즘과는 다르다고 할 수 있다. 일반적으로 유리는 취성재료로 분류되지만 Sapphire와 비교할 때에는 약연성의 취성재료 특성을 보이며 Sapphire 는 강성의 취성재료로서 이를 위한 보다 정확한 메카니즘의 분석이 필요하며 이에 따른 상업적 용도의 Sapphire 기판 연마용 2-Body Lapping Pad 의 개발은 이어지는 다음 연구에서 가능할 것으로 사료된다. 결론적으로 본 연구에서 개발된 Diamond Lapping Pad 는 여러 가지 전자 및 광학소재의 높은 연마속도와 낮은 표면조도를 구현하는 고품질 연마를 바탕으로 기존의 Slurry 방식을 개선할 뿐만 아니라 공정효율을 최적화하여 비용을 줄이며 나아가 친화적인 작업환경을 가능하게 한다.
목차
- List of Figures ivList of Tables ixAbstract xChapter I. Introduction 11.1. Introduction 11.2. Research Objectives 41.3. Outline of Dissertation 6Chapter II. Background 72.1. Classification of Abrasion Processes 72.2. Lapping Process 112.2.1. History of Lapping 112.2.2. Types of Lapping Processes 142.2.3. Mechanism of Lapping 192.2.4. Components of Lapping Process 382.2.4.1. Work Piece and Substrate 382.2.4.2. Abrasives 412.2.4.3. Lapping Platen 452.3. Agglomeration Process 492.3.1. Fundamentals of Agglomeration 492.3.2. Structure of Agglomerates 532.3.3. Porosity 552.3.4. Abrasive Agglomerates 56Chapter III. Experimental Materials and Procedure 573.1. Materials and Equipment 573.1.1. Substrates 573.1.2. Resins 583.1.3. Abrasives 593.1.4. Rotary Tablet Machine 603.1.5. UV Curing System 613.1.6. Lapping Equipment 623.2. Experimental Procedure 653.2.1. Preparation of Lapping Pad 653.2.1.1. Preparation of Phenolic Resin Pad 653.2.1.2. Preparation of Photo Curable Resin Pad 673.2.2. Lapping Experiments 683.3. Characterization Studies 693.3.1. Removal Rate Measurement 693.3.2. Roughness Measurement 693.3.3. Pad Characterization 703.3.4. Morphology Studies 71Chapter IV. Results and Discussion 734.1. Phenolic Resin Based Lapping Pads 774.2. Photo Curable Resin Based Lapping Pads 804.2.1. Performance Single Abrasive Pads 814.2.1.1. Optimization of Abrasive Content 814.2.1.2. Optimization of Abrasive Size 844.2.2. Performance Agglomerated Abrasive Pads 864.2.2.1. Preparation of Agglomerates 874.2.2.2. Agglomerated Diamond Pad vs. Single Diamond Pad 894.2.2.3. Optimization of Diamond Binder Ratio for Agglomerates 914.2.2.4. Effect of Primary Diamond Size 974.2.2.5. Performance as a Dressing Free Pad 99Chapter V. Summary 101Chapter VI. Future Work 103References 104국문요지 111감사의 글(Acknowledgements) 114