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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1999.9
- 수록면
- 125 - 131 (7page)
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This paper deals with a novel structure of poly-Si solar cell. A grain boundary (GB) of poly-Si acts as potential barrier and recombination center for photo-generated carriers. To reduce unwanted side effects at the GB of poly-Si, we employed physical GB removal of poly-Si using chemical solutions. Various chemical etchants such as Sirtl. Yang, Secco, and Schimmel were investigated for the preferential GB etching. Etch depth about 10 μm was achieved by a Schimmel etchant. After a chemical etching of poly-Si, we used POCl₃ for emitter junction formation. This paper used an easy method of top electrode formation using a RF sputter grown ITO film. ITO films with thickness of 300 nm showed resistivity of 1.26*10^-4 Ω-cm and overall transmittance above 80 %. Using a preferential GB etching and ITO top electrode, we developed a new fabrication procedure of poly-Si solar cells. Employing optimized process conditions, we were able to achieve conversion efficiency as high as 16.6 % at an input power of 20 mW/cm² This paper investigates the effects of process parameters: etching conditions, ITO deposition factors, and emitter doping densities in a poly-Si cell fabrication procedure.
목차
ABSTRACT
1. Introduction
2. Experimental
3. Result and Discussion
4. Conclusion
Acknowledgement
References
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