LOW TEMPERATURE DEPOSITION OFSIO<SUB>x</SUB> FILMS BY PLASMA-ENHANCED CVD USING 100 ㎑ GENERATOR

Q: 이 논문에서 정의한 PECVD란 무엇인가?

PECVD는 플라즈마 강화 화학 기상 증착법을 의미한다. 이는 100kHz 및 13.56MHz 발생기를 사용하여 유기규소 화합물과 산소 혼합물로부터 저온에서 산화규소 박막을 증착하는 기술이다. 이 방법은 특히 내열성이 낮은 기판에 실리콘 산화막을 증착하는 데 적합하다.

Q: 100kHz PECVD 공정이 13.56MHz 공정보다 가지는 주요 이점은 무엇인가?

연구 결과, 100kHz PECVD 공정은 13.56MHz 공정보다 훨씬 낮은 23℃의 기판 온도에서 산화규소 박막을 증착할 수 있다. 이는 저렴한 전원 공급 장치와 낮은 전력 소비를 가능하게 하며, 플라스틱과 같이 열에 약한 기판에도 고품질의 산화규소 필름을 증착할 수 있게 한다.

Nobuyuki Kakinoki; Takenobu Suzuki; Osamu Takai

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자료유형: 학술저널

저자정보: Nobuyuki Kakinoki Takenobu Suzuki Osamu Takai

저널정보: 한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제29권 제6호

발행연도: 1996.12

수록면: 760 - 765 (6page)

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Silicon oxide thin films are prepared by plasma-enhanced CVD (PECVD) using 100kHz and 13.56MHz generators. Source gases are two sorts of mixture, tetramethoxysilane (TMOS) and oxygen, and tetramethylsilane (TMS) and oxygen. We investigate the effect of frequency on film properties of deposited films including mechanical properties. 100kHz PECVD process can deposit silicon oxide films at 23℃ at the power of 20W. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), infrared spectroscopy (IR) and ellipsometric measurements reveal that the structural quality of the films prepared both by 100kHz process and by 13.56MHz process are very like silicon dioxide. The 100kHz process is adequate for low temperature deposition of SiOx films.

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