Fabrication of Latch-Up-Free Self-Aligned Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) with Silicide Contact Technology

Q: 이 논문에서 정의한 Latch-up이란 무엇인가?

IGBT 내부에 존재하는 기생 p-n-p-n 구조가 활성화되면서 게이트 제어 능력을 상실하고, 의도하지 않은 높은 전도 상태로 고정되어 소자가 정상적으로 작동하지 않게 되는 현상을 의미한다.

Q: 제안된 자체 정렬 IGBT 구조가 기존 전력 MOSFET 대비 가지는 강점은 무엇인가?

연구 결과, 제안된 구조는 래치-업 현상을 효과적으로 방지함과 동시에 p-기판의 도핑 농도가 낮은 조건에서도 전력 MOSFET보다 낮은 온-저항을 달성하여 전력 효율과 집적도를 동시에 향상시킨다.

Yo-Hwan Koh; Choong-Ki Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Yo-Hwan Koh Choong-Ki Kim

저널정보: 대한전기학회 JOURNAL OF KIEE JOURNAL OF KIEE Vol.2 No.2

발행연도: 1989.9

수록면: 127 - 131 (5page)

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A latch-up-free self-aligned IGBT structure with a very small n⁺-source region formed by outdiffusion of phosphorus from the sidewall phosphosilicate glass(PSG) is proposed. The device with proposed structure shows good I·V characteristics without latch-up phenomena and has an extremely low on-resistance which is less than that of power MOSFET even with a moderately doped p-substrate. The proposed device structure can also reduce the chip area through the decrease of unit cell size.

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