Effects of nitrogen doping by dielectric barrier discharge method on ZnO thin film transistor using pulsed laser deposition

Q: 이 논문에서 정의한 질소 도핑이란 무엇인가?

질소 도핑은 ZnO 박막 증착 과정 중 유전체 장벽 방전(DBD) 방법을 사용하여 이온화된 질소를 공급함으로써 ZnO 박막 내에 질소 양이온을 주입하는 공정이다. 이는 ZnO 분자와 상호작용하여 수용체 역할을 함으로써 소자의 전기적 특성을 변화시키고 채널층의 벌크 또는 계면 트랩을 감소시킨다.

Q: ZnO 박막 트랜지스터의 안정성을 향상시키는 핵심 요인은 무엇인가?

연구 결과, 유전체 장벽 방전(DBD) 방법으로 질소를 도핑한 ZnO:N 박막 트랜지스터는 질소를 도핑하지 않은 ZnO 박막 트랜지스터에 비해 바이어스 온도 스트레스(BTS) 테스트 후 문턱 전압(Vth) 변화가 현저히 적게 나타났다. 이는 질소 양이온에 의한 계면 트랩 보상으로 채널층의 계면 트랩이 감소하여 소자의 안정성이 크게 향상됨을 의미한다.

전윤수; 정유진; 조경철; 이상렬

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저자정보: 전윤수 (한국과학기술연구원) 정유진 (한국과학기술연구원) 조경철 (한국과학기술연구원) 이상렬 (한국과학기술연구원)

저널정보: 대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2010 대한전기학회 제41회 하계학술대회

발행연도: 2010.7

수록면: 1,285 - 1,286 (2page)

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The effect of nitrogen doping on Znic oxide (ZnO) thin film transistor has been studied in this work. The nitrogen doping was done by dielectric barrier discharge (DBD) method during the ZnO deposition. After minimum annealing temperature of 300℃, both ZnO (without DBD) and ZnO:N(with DBD) TFTs show the transfer characteristic ... 전체 초록 보기

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