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논문 기본 정보
- 저자정보
초록·키워드
The ambipolar behavior of tunneling fieldeffect transistors (TFETs) has been investigated quantitatively by introducing a novel parameter: ambipolarity factor (ν). It has been found that the malfunction of TFET can result from the ambipolar state which is not on- or off- state. Therefore, the effect of ambipolar behavior on the device performance should be parameterized quantitatively, and this has been successfully evaluated as a function of device structure, gate oxide thickness, supply voltage, drain doping concentration and body doping concentration by using ν.
본문·목차
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