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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.11
- 수록면
- 285 - 290 (6page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
2013
Epitaxial Growth of Graphene by Surface Segregation and Chemical Vapor Deposition on Ru(0001) Studied with Scanning Tunneling Microscopy
Won-Jun Jang
,
Se-Jong Kahng
Applied Science and Convergence Technology
2013.11
학술저널
Local Electronic Structures of Graphene Probed by Scanning Tunneling Spectroscopy
Won-Jun Jang
,
Eui-SupLee
,
HowonKim
외 4명
한국진공학회 학술발표회초록집
2013.08
학술대회자료
2011
Electronic Structures of Graphene Intercalated by Oxygen on Ru(0001) : Scanning Tunneling Spectroscopy Study
Won-Jun Jang
,
Jeung-Hum Jeon
,
Jong Keon Yoon
외 1명
한국진공학회 학술발표회초록집
2011.08
학술대회자료
Electronic Structures of Graphene on Ru(0001)
Won-Jun Jang
,
Jeung-Hum Jeon
,
Jong Keon Yoon
외 1명
한국진공학회 학술발표회초록집
2011.02
학술대회자료
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금속 기판 위에 성장한 그래핀은 원자구조와 전자구조 연구에 우수한 기반이 된다. 그래핀은 금소 기판에서 탄소의 surface segregation 이나 chemical vapor deposition으로 성장할 수 있는데, 이 두 방법의 성장 양상에 대한 비교 연구는 아직까지 없었다. 본 연구에서는 surface segregation, 흡착된 에틸렌의 post-annealing, 에틸렌의 high-temperature dose 등 3 방법으로 성장한 그래핀의 성장구조를 주사형 터널링 현미경으로 연구했다. 처음 2종류의 방법에서는 100 ㎚² 수준의 작은 그래핀 영역이 나타났고, 3 번째 방법에서는 10⁴ ㎚² 보다 큰 그래핀이 육각형 무아레 무늬와 함께 타나났다. 본 연구에서는 에틸렌의 high-temperature dose 방법이 추가적인 분자성장 등에 필요한 넓은 그래핀을 성장하기에 가장 좋은 방법임을 보였다.
목차
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiment
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Summary
References
참고문헌 (0)
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