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이용수
초록· 키워드
Titanium (Ti) doped indium oxide (In₂O₃) films were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering and the films were rapid thermal annealed at 100, 200, and 300℃, respectively to investigate the influence of the rapid annealing on the opto-electrical performance of the films. The grain size of In₂O₃ (222) plane increased with annealing temperatures and their electrical resistivity decreased to as low as 8.86×10<SUP>-4</SUP> Ω ㎝ at 300℃. The visible transmittance also improved from 77.1 to 79.5% when the annealing temperature increased. The optical band gap of the TIO films shifted from 4.010 to 4.087 eV with increases in annealing temperature from room temperature to 300℃. The figure of merit shows that the TIO films annealed at 300℃ had better optical and electrical performance than the other films prepared using lower-temperature or no annealing.
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목차
- Abstract
- 1. Introduction
- 2. Experimental Part
- 3. Results and Discussion
- 4. Conclusion
- References
참고문헌
참고문헌 신청최근 본 자료
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2020-581-000427169
