Characteristic of P doped ZnO-based thin film transistor by DC magnetron sputtering

Lee, Sih; Moon, Yeon-Keon; Moon, Dae-Yong; Kim, Woong-Sun; Kim, Kyung-Taek; Park, Jong-Wan

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저자정보: Lee, Sih (Dept. of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Moon, Yeon-Keon (Dept. of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Moon, Dae-Yong (Dept. of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Kim, Woong-Sun (Dept. of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Kim, Kyung-Taek (Dept. of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Park, Jong-Wan (Dept. of Materials Science and Engineering, Hanyang University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display

발행연도: 2009.1

수록면: 540 - 542 (3page)

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Phosphorus doped ZnO (PZO) thin films were deposited on $SiO_2$/n-Si substrates using DC magnetron sputtering system varying oxygen partial pressures from 0 to 40 % under Ar atmosphere. The deposited films showed reduced n-type conductivity due to the compensating donor effects by phosphorus dopant. The bias-time stability shows relatively good stability over bias and time comparing to un-doped ZnO-based TFTs.

#ZnO #phosphorus doping #Oxide Semiconductor #TFT

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