Atomic Layer Deposition of Nitrogen Doped ZnO and Application for Highly Sensitive Coreshell Nanowire Photo Detector

정한얼; 강혜민; 천태훈; 김수현; 김도영; 김형준

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저자정보: 정한얼 (연세대학교 전기전자공학부) 강혜민 (연세대학교 전기전자공학부) 천태훈 (영남대학교 신소재공학부) 김수현 (영남대학교 신소재공학부) 김도영 (연세대학교 전기전자공학부) 김형준 (연세대학교 전기전자공학부)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회

발행연도: 2011.1

수록면: 261 - 261 (1page)

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We investigated the atomic layer deposition (ALD) process for nitrogen doped ZnO and the application for n-ZnO : N/p-Si (NW) coaxial hetero-junction photodetectors. ALD ZnO:N was deposited using diethylzinc (DEZ) and diluted $NH_4OH$ at $150^{\circ}C$ of substrate temperature. About 100~300 nm diameter and 5 um length of Si nanowires array were prepared using electroless etching technique in 0.108 g of $AgNO_3$ melted 20 ml HF liquid at $75^{\circ}C$. TEM images showed ZnO were deposited on densely packed SiNW structure achieving extraordinary conformality. When UV (360 nm) light was illuminated on n-ZnO:N/p-SiNW, I-V curve showed about three times larger photocurrent generation than film structure at 10 V reverse bias. Especially, at 660 nm wave length, the coaxial structure has 90.8% of external quantum efficiency (EQE) and 0.573 A/W of responsivity.

#ZnO #Photo detector #Nitrogen doped ZnO #ALD

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