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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.6
- 수록면
- 651 - 654 (4page)
이용수
초록· 키워드
This study proposes a near-infrared (NIR) phototransistor utilizing a feedback field effect transistor (FBFET). The device features a pnpn structure comprising a p-type Si drain, n-type Si channel1, p-type SiGe channel2, and n-type Si source, and channel2 absorbs NIR light with a wavelength range of 1200 nm to 1700 nm. The light absorption in channel 2 generates an open circuit voltage, which leads to positive feedback and facilitates steep switching behavior. To further enhance the NIR absorption in channel2, the phototransistors are arranged in a 2-D array, forming a metasurface that concentrates NIR light in the SiGe absorption layer at resonance. In addition, the metasurface is designed to be polarization-sensitive by adopting the asymmetric geometry of the phototransistors that function as metaatoms. The proposed NIR phototransistor demonstrates a high on/off current ratio and low dark current.
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목차
- Abstract
- Ⅰ. 서론
- Ⅱ. 본론
- Ⅲ. 구현
- Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
- 참고문헌
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