Vertical Channel NAND Flash Structure using DSCG(Double-Side-Control-Gate) to Reduce Cell to Cell Interference

Q: 이 논문에서 정의한 DSCG(Double-Side-Control-Gate)란 무엇인가?

기존 3차원 수직 NAND 플래시 구조의 셀 간 간섭 문제를 해결하기 위해 제안된 구조다. 이는 각 워드 라인 양쪽에 보조 제어 게이트인 SSCG를 추가하고 전하 나이트라이드 층을 분리하여 설계함으로써 소자의 동작 효율과 안정성을 높인 기술을 의미한다.

Q: DSCG 구조가 3차원 수직 NAND 플래시의 셀 간 간섭에 어떤 영향을 미치는가?

연구 결과, DSCG 구조는 SSCG의 차폐 효과와 분리된 나이트라이드 층을 통해 셀 간 간섭을 효과적으로 억제한다. 특히 단채널 소자 구조에서 임계 전압 이동을 90% 이상 감소시켜 셀 간 간섭 문제를 획기적으로 해결하는 것으로 나타났다.

Seonjun Choi; Yun-heub Song

doi:10.5573/JSTS.2018.18.6.714

학술저널 Full-text

저자정보: Seonjun Choi (Hanyang University) Yun-heub Song (Hanyang University)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.6

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In this study we proposed the ‘Double-Side-Control-Gate’(DSCG) which solves problems the conventional 3-D vertical NAND flash structure using the added Sub-Side-Control-Gate(SSCG) and segregate charge nitride layer. The proposed DSCG structure was simulated and tested by the sentaurus TCAD(Synopsys. Inc) tool and confirmed the reduction of interference effect. To demonstrate the performance improvement of the proposed architecture, we analyzed cell-to-cell interference in 3- bit multi-cells and made quantitative analysis on the reduction of cell-to-cell interference resulting from the application of DSCG. In the analysis, we compared and estimated benefits expected from the application of DSCG by calculating Cell-to-Cell Distance(CTCD), pass voltage, etc. Lastly, we confirmed the above 90% reduction of the Cell-to- Cell interference using the DSCG structure.

#Vertical channel #DSCG #polysilicon #3-D memory #3-D block #3-D stacked NAND Flash memory #thin film

배경 및 목적
대상 및 방법론
분석 및 수행
결과 및 의의

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