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논문 기본 정보

저자정보
(Hanyang Univ) (Hanyang Univ) (Hanyang Univ)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.1
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    In this paper, Effect of bottom electrode size on Ovonic Threshold Switch(OTS) characteristics has been investigated in W/SiTe/W selector device. We fabricated SiTe Ovonic Threshold Switch(OTS) with different bottom electrode contact totally 18 sizes(34 nm - 1921 nm) and studied the differences in the bottom electrode size I-V characteristics. Ovonic Threshold Switch(OTS) device showed on/off ratio (> 10<SUP>3</SUP> ) and the difference in t V value between 218 nm and 1414 nm size.
    #Ovonic threshold switch #OTS #phase change random access memory #PRAM #different electrode bottom size #switch characteristics

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