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초록·키워드
In this paper, HBT's with lower phase noise and passive elements, such as resistors, capacitors and inductors, for resonant and matching networks, are designed, fabricated, tested, and carefully analysed, and then, they are integrated for the design and fabrication of functional X-band oscillators with lower phase noise using MMIC technology. Epi-wafers for HBT's with the structure of graded AlxGa1-xAs emitter and C-doped base layer of 700A thick were used to specially emphasize the improvement of fT and fmax, and the lowering of phase noise, in design aspects. The fabricated HBT's have hfe=31.45, fT=30GHz and fmax=20GHz. At the test frequencies of 12GHz, capacitances of MIM capacitors, inductances of rectangular spiral inductors, and resistances are 0.18~12.26pF, 0.2~5.22nH, and 20~1,380Ω, respectively. The emitter size of HBT's for the X-band MMIC oscillators is 3 ×10um², and final chip size is 0.9×0.9mm².
본문·목차
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