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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.11
- 수록면
- 1,170 - 1,175 (6page)
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본 논문에서는 Push-Push FET DRO 회로의 게이트단에서 이용했던 동일한 유전체 공진기를 드레인단에 추가하면 출력이 증강되는 현상을 이론적으로 해석하였다. 본 해석은 두 개의 마이크로스트림 선로 사미에 위치한유전체 공진기가 두개의 FET 출력의 위상차를 고정시켜서 Push-Push FET DRO의 출력이 증가되는 것을 보인다. 이 영향을 Push-Push FET DRO 발진기 제작에서 발생할 수 있는 두 개의 FET 출력회로 사이의 임피던스 차이와 전력결합기의 전기적인 길이 오차를 수정하기 위해 사용할 수 있기 때문에 유전체 공진기가 부가된 Push-Push FET DRO는 발진기 제작에 유용한 구조가 될 것이다.
목차
요약
Abstract
I. 서론
II. Push-Push DRO 출력전력과 위상관계 분석
III. 두 도선 사이에 위치한 DR의 특성
IV. DR에 의한 위상보정
V. 시뮬레이션 결과
VI. 결론
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